500um nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chip
  • 500um nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chip500um nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chip

500um nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chip

Az 500 um nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chipet kifejezetten alacsony sötétségre, alacsony kapacitásra és magas lavinaerősítésre tervezték. Ezzel a chippel nagy érzékenységű optikai vevőt lehet elérni.

Kérdés küldése

termékleírás

1. Az 500 hm nagy területű InGaAs lavina fotodióda chip összefoglalása

Az 500 hm nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chipet kifejezetten alacsony sötétségre, alacsony kapacitásra és magas lavinaerősítésre tervezték. Ezzel a chippel nagy érzékenységű optikai vevőt lehet elérni.

2. 500 hm nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chip bevezetése

Az 500 hm nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chipet kifejezetten alacsony sötétségre, alacsony kapacitásra és magas lavinaerősítésre tervezték. Ezzel a chippel nagy érzékenységű optikai vevőt lehet elérni.

3. Az 500 hm-os nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chip jellemzői

Érzékelési tartomány 900-1650 nm;

Magassebesség;

Magas reszponzivitás;

Alacsony kapacitás;

Alacsony sötét áram;

Felső megvilágított sík szerkezet.

4. 500 hm nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chip alkalmazása

Monitoring;

Száloptikai eszközök;

Adatkommunikáció.

5. 500 hm nagy területű InGaAs lavina fotodióda chip abszolút maximális besorolása

ParaméterSzimbólhmÉrtékMértékegység
Maximális előremenő áram-10mA
Maximális tápfeszültség-VBRV
Üzemi hőmérsékletTopr-40 és +85 között
Tárolási hőmérsékletTstg-55 és +125 között

6. 500 hm nagy területű InGaAs lavina fotodióda chip elektrooptikai jellemzői (T=25℃)

ParaméterSzimbólhmFeltételMin.Typ.Max.Mértékegység
Hullámhossz tartományλ 900-1650nm
Áttörési feszültségVBRId = 10uA40-52V
A VBR hőmérsékleti együtthatója---0.12-V/℃
ReaktivitásRVR = VBR -3V1013-A/W
Sötét áramIDVBR -3V-0.410.0nA
KapacitanciaCVR = 38 V, f = 1 MHz-8-pF
SávszélességBw--2.0-GHz

7. 500 hm nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chip méretparamétere

ParaméterSzimbólhmÉrtékMértékegység
Aktív terület átmérőjeD53hm
Ragasztópárna átmérője-65hm
A szerszám mérete-250x250hm
A szerszám vastagságat150±20hm

8. 500 hm nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chip szállítása, szállítása és kiszolgálása

Minden terméket teszteltek a kiszállítás előtt;

Minden termékre 1-3 év garancia vonatkozik. (A minőségi garanciális időszak lejárta után megfelelő karbantartási szolgáltatási díjat kell felszámítani.)

Nagyra értékeljük vállalkozását, és azonnali 7 napos visszaküldési politikát kínálunk. (7 nappal az áru átvétele után);

Ha az üzletünkben vásárolt termékek nem tökéletes minőségűek, azaz nem működnek elektronikusan a gyártó specifikációi szerint, egyszerűen küldje vissza őket csere vagy visszatérítés céljából;

Ha a tételek hibásak, kérjük, értesítsen minket a kézbesítéstől számított 3 napon belül;

Bármely tételt eredeti állapotukban kell visszaküldeni, hogy jogosultak legyenek a visszatérítésre vagy a cserére;

A vevőt terheli minden felmerülő szállítási költség.

8. GYIK

K: Milyen aktív területet szeretne?

V: 50 hm 200 hm 500 hm aktív területünk van InGaAs Avalanche fotodióda chippel.

K: Mi a követelmény a csatlakozóval szemben?

V: A Box Optronics testreszabhatja az Ön igényei szerint.

Hot Tags: 500um nagy területű InGaAs Avalanche fotodióda chip, Gyártók, beszállítók, Nagyker, Gyári, Testreszabott, Tömeges, Kína, Kínában készült, Olcsó, Alacsony Ár, Minőség
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept