50um InGaAs Avalanche fotodióda chip
  • 50um InGaAs Avalanche fotodióda chip50um InGaAs Avalanche fotodióda chip

50um InGaAs Avalanche fotodióda chip

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip egy fotodióda belső erősítéssel, amelyet fordított feszültség alkalmazásával állítanak elő. Nagyobb jel-zaj arányuk (SNR) van, mint a fotodiódáké, emellett gyors időreakcióval, alacsony sötétárammal és nagy érzékenységgel rendelkeznek. A spektrális választartomány jellemzően 900-1650 nm.

Kérdés küldése

termékleírás

1. Az 50 um-os InGaAs Avalanche fotodióda chip összefoglalása

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip egy fotodióda belső erősítéssel, amelyet fordított feszültség alkalmazásával állítanak elő. Nagyobb jel-zaj arányuk (SNR) van, mint a fotodiódáké, emellett gyors időreakcióval, alacsony sötétárammal és nagy érzékenységgel rendelkeznek. A spektrális választartomány jellemzően 900-1650 nm.

2. 50um InGaAs Avalanche fotodióda chip bevezetése

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip egy fotodióda belső erősítéssel, amelyet fordított feszültség alkalmazásával állítanak elő. Nagyobb jel-zaj arányuk (SNR) van, mint a fotodiódáké, emellett gyors időreakcióval, alacsony sötétárammal és nagy érzékenységgel rendelkeznek. A spektrális választartomány jellemzően 900-1650 nm.

3. Az 50 um-os InGaAs Avalanche fotodióda chip jellemzői

Érzékelési tartomány 900-1650 nm;

Magassebesség;

Magas reszponzivitás;

Alacsony kapacitás;

Alacsony sötét áram;

Felső megvilágított sík szerkezet.

4. 50um InGaAs Avalanche fotodióda chip alkalmazása

Monitoring;

Száloptikai eszközök;

Adatkommunikáció.

5. 50 um InGaAs Avalanche fotodióda chip abszolút maximális besorolása

Paraméter Szimbólum Érték Mértékegység
Maximális előremenő áram - 10 mA
Maximális tápfeszültség - VBR V
Üzemi hőmérséklet Topr -40 és +85 között
Tárolási hőmérséklet Tstg -55 és +125 között

6. 50um InGaAs Avalanche fotodióda chip elektrooptikai jellemzői (T=25℃)

Paraméter Szimbólum Feltétel Min. Typ. Max. Mértékegység
Hullámhossz tartomány λ   900 - 1650 nm
Áttörési feszültség VBR Id = 10uA 40 - 52 V
A VBR hőmérsékleti együtthatója - - - 0.12 - V/℃
Reaktivitás R VR = VBR -3V 10 13 - A/W
Sötét áram ID VBR -3V - 0.4 10.0 nA
Kapacitancia C VR = 38 V, f = 1 MHz - 8 - pF
Sávszélesség Bw - - 2.0 - GHz

7. 50um InGaAs Avalanche fotodióda chip méretparamétere

Paraméter Szimbólum Érték Mértékegység
Aktív terület átmérője D 53 hm
Ragasztópárna átmérője - 65 hm
A szerszám mérete - 250x250 hm
A szerszám vastagsága t 150±20 hm

8. 50 um InGaAs Avalanche fotodióda chip szállítása, szállítása és kiszolgálása

Minden terméket teszteltek a kiszállítás előtt;

Minden termékre 1-3 év garancia vonatkozik. (A minőségi garanciális időszak lejárta után megfelelő karbantartási szolgáltatási díjat kell felszámítani.)

Nagyra értékeljük vállalkozását, és azonnali 7 napos visszaküldési politikát kínálunk. (7 nappal az áru átvétele után);

Ha az üzletünkben vásárolt termékek nem tökéletes minőségűek, azaz nem működnek elektronikusan a gyártó specifikációi szerint, egyszerűen küldje vissza őket csere vagy visszatérítés céljából;

Ha a tételek hibásak, kérjük, értesítsen minket a kézbesítéstől számított 3 napon belül;

Bármely tételt eredeti állapotukban kell visszaküldeni, hogy jogosultak legyenek a visszatérítésre vagy a cserére;

A vevőt terheli minden felmerülő szállítási költség.

8. GYIK

K: Milyen aktív területet szeretne?

V: 50 um 200 um 500 um aktív területünk van InGaAs Avalanche fotodióda chippel.

K: Mi a követelmény a csatlakozóval szemben?

V: A Box Optronics testreszabhatja az Ön igényei szerint.

Hot Tags: 300um InGaAs Photodióda Chip, Gyártók, Szállítók, Nagyker, Gyári, Testreszabott, Tömeges, Kína, Kínában készült, Olcsó, Alacsony Ár, Minőség
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept