Kék fényű félvezető lézerszerkezet és működési elv

Az aktív régió anyagától függően a kék fényű félvezető lézer félvezető anyagának sávszélessége változik, így a félvezető lézer különböző színű fényt bocsáthat ki. A Blue Light Semiconductor lézer aktív régiója GaN vagy InGan. Egy tipikus GaN-alapú lézer szerkezetét az 1. ábra mutatja. Alulról felfelé z irányba, ez az N-Elektróda, a GaN szubsztrát, az N-típusú A1gan alsószülési réteg, az N-típusú Hgan alsó hullámvezető réteg, a multi-kvantumú kút (MQW) aktív régió, a nem szándékosan dopped hgan-hullámvédőréteg, a P-type Blockron réteg (Ebl.) A1gan felső szülésréteg, p-típusú GaN réteg és p-elektród

A multi-kvantum jól aktív régió (MQWS) anyagi törésmutatója a legmagasabb, és az aktív régió mindkét oldalán lévő anyagok törésmutatója csökkenő tendenciát mutat. Az anyag törésmutatójának eloszlásán keresztül a z irányban magas, középen és alacsony felett és alul, a Z irányban lévő fénymező korlátozható a felső és az alsó hullámvezető rétegek között. Az y irányban a lézer mindkét oldalán a p-típusú réteg egy részét maratással távolítják el, és egy vékony réteg szilikon-dioxidot (SiO2) lerakódnak, végül egy gerincszerkezetet képezve. A szilícium-dioxid és a levegő törésmutatója kisebb, mint a p-típusú rétegé, tehát az Y irányban lévő törésmutató középső és alacsony mindkét oldalon magas, és a fénymező a gerinc közepére korlátozódik. Az Y és Z irányok korlátozó hatása miatt a fénymezőre az YZ síkban található fénymező elliptikus eloszlást mutat. Az X irányban az első és a hátsó üreg felülete mechanikus hasítással vagy maratással képződik, és az első és a hátsó üreg felületének reflexiós képessége a dielektromos film elpárologtatásával beállítható. Általában az első üreg felületének reflexiós képessége kisebb, mint a hátsó üreg felülete, hogy a lézer az első üreg felületéről kibocsátható legyen.