Ez egy becsomagolt chip tíz- vagy tízmilliárd tranzisztorból álló integrált áramkörrel. Ha mikroszkóp alatt ráközelítünk, láthatjuk, hogy a belső tér olyan összetett, mint egy város. Az integrált áramkör egyfajta miniatűr elektronikus eszköz vagy alkatrész. A vezetékezéssel és összekapcsolással együtt egy kis vagy több kis félvezető lapkára vagy dielektromos hordozóra gyártják, hogy szerkezetileg szorosan összefüggő és belsőleg kapcsolódó elektronikus áramköröket alkossanak. Vegyük a legalapvetőbb feszültségosztó áramkört példaként annak szemléltetésére, hogy hogyan lehet megvalósítani és előidézni a hatást a chipen belül.
A félvezető technológiának köszönhetően az integrált áramkörök kicsire tehetők. A tiszta szilícium egy félvezető, ami azt jelenti, hogy az elektromosság vezető képessége rosszabb, mint a szigetelőké, de nem olyan jó, mint a fémek. Tehát a mobil töltések kis száma az, ami a szilíciumot félvezetővé teszi. De egy titkos fegyver nélkülözhetetlen a chipes doppingoláshoz. A szilíciumnak kétféle adalékolása létezik, a P-típusú és az N-típusú. Az N-típusú szilícium elektronokon keresztül vezeti az elektromosságot (az elektronok negatív töltésűek), a P-típusú szilícium pedig lyukakon keresztül vezeti az elektromosságot (nagyszámú pozitív töltésű lyuk). Hogyan néz ki a feszültségosztó áramkör kapcsolója a chipben és hogyan működik?
Az integrált áramkörben a kapcsoló funkció a tranzisztortest, amely egyfajta elektronikus kapcsoló. A közös MOS-cső a MOS-cső, a MOS-cső pedig N-típusú és P-típusú félvezetőkből készül a P-típusú szilíciumhordozón. Két N-típusú szilícium régió készül. Ez a két N típusú szilícium régió a MOS cső forráselektródája és leeresztő elektródája. Ezután a Source and Drain középső területe fölé szilícium-dioxid réteget készítenek, majd lefedik a szilícium-dioxidot. Egy vezetőréteg, ez a vezetőréteg a MOS cső GATE pólusa. A P-típusú anyagban nagyszámú lyuk és csak néhány elektron van, a lyukak pedig pozitív töltésűek, így a terület ezen részén a pozitív töltésű lyukak dominálnak, és kevés a negatív töltésű elektron, ill. az N típusú terület negatív töltésű. Az elektronika dominál.
Használjuk a csap analógiáját. A jobb oldali a Forrás. Forrásnak nevezzük, ez az a hely, ahol a víz kifolyik. A középen lévő kapu a kapu, ami egy vízszelepnek felel meg. A bal oldali lefolyóban szivárog a víz. Csakúgy, mint a víz áramlása, az elektronok is áramlanak a forrásból a lefolyóba. Ekkor középen van egy akadály, ami a P anyag. A P anyagban nagyszámú pozitív töltésű lyuk van, és az elektronok találkoznak a lyukakkal. Semlegesített és nem tud átjutni. akkor mit tegyünk? Pozitív töltést adhatunk a rácshoz, hogy vonzzuk a negatív töltésű elektronokat a P típusú anyagban. Bár a P típusú anyagban nincs sok elektron, pozitív töltés hozzáadása a rácshoz mégis vonzhat néhány elektront, hogy csatornát képezzen. Az elektron elhalad. Összefoglalva, a forrás az elektronok forrása, amelyek folyamatosan biztosítják az elektronok áramlását a lefolyóba, de vajon át tudnak-e haladni a rácson. A rács olyan, mint egy szelep, egy kapcsoló, amely a MOS cső nyitását és zárását szabályozza. Ez az elve a MOS csőnek, mint elektronikus kapcsolónak.
Most, hogy az elektronikus kapcsoló ismert, nézzük meg az ellenállás megvalósulását. Először készítsen egy N-típusú területet a P-típusú szilíciumhordozón, majd fém segítségével vezesse ki az N-típusú terület két végét úgy, hogy N1 és N2 legyen a két ellenállás. Itt a vége, tehát a feszültségosztó áramkör integrált áramköre az, hogy az áramkör csatlakozási viszonyának megfelelően fémmel köti össze a szilícium chipen az imént beszélt MOS csövet és ellenállást.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
